58纳米!沟槽式DRAM第三季度正式进入产品验证阶段

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作者: 存储时代 hyy(分派)

CNETNews.com.cn

30008-02-01 11:05:00

关键词: DDR3 DDR2 DDR DRAM

DRAM市场老会 所讨论的沟槽式(Trench)技术前景,目前已选则沟槽式阵营的58纳米制程技术将在30008年第四季度进入产品验证阶段,华亚科也预计在30008年投资3000亿元新台币将12万片的70纳米制程技术产能,转上加58纳米制程技术,可说对于58纳米提供了最佳的保证。

DRAM市场不断辩论沟槽式或堆栈式的制程技术,而长久以来已经堆栈式阵营的成员人数众多,再上加累积另一个属于沟槽式阵营成员,也先后转向堆栈式阵营,因而外界对于沟槽式阵营的未来产生问题报告 。沟槽式阵营的两大母公司,南亚科与奇梦达(Qimonda)已选则研发出58纳米制程技术,且已证明这是可进行商业化的制程技术。

目前58纳米制程技术已分别在奇梦达与华亚科进行几瓶试产阶段,依试产的结果来看,可望在30008年第四季度进入产品验证阶段,而方式过去DRAM厂进入产品验证经验判断,最快到30009年第一季度末便可刚刚刚结束了进入量产阶段,而过去每世代制程技术大慨可使用两年左右时间来计算,沟槽式阵营的产品生命周期到30009年甚至是2010年都那末太问题报告 报告 。

70纳米制程技术产能转上加58纳米制程,华亚科30008年已经投入共3000亿元新台币进行机器设备转换,估计要将两座12英寸厂约12万片产能全数转为58纳米制程技术,大慨需花费将近3000亿元左右的资本支出。不过华亚科光是每年的折旧摊提大慨有23000亿~3000亿元,而且 就算华亚科30008年不进行募资动作,也还足以因应转换制程所都可不还可以 资金。

而奇梦达也于28日一块儿宣告1GB和2GB的DDR3 DRAM模组样品刚刚刚结束了出货给主要客户,加速布局次世代NB市场。奇梦达于30006年6月推出DDR3内存产品,而估计内建1GB和2GB DDR3 SO-DIMM的NB将于30008年上半上市。

1GB和2GB的DRAM模组由奇梦达以75纳米技术制程所生产的1Gb的DDR3芯片组成,提供显著的费油效果,已经DDR3仅需1.5伏特的电力,而DDR2则是1.8伏特。根据SO-DIMM容量的不同,奇梦达的DDR2的SO-DIMM与现30008年主流的DDR2模组相比,甚至都可不还可以 节省300~3000%的耗电量。